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Current Status and Future Prospects of SiC Power JFETs and ICs SiC 전력 JFET 및 IC의 현황과 향후 전망

Jian H. ZHAO, Kuang SHENG, Yongxi ZHANG, Ming SU

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요약 :

본 문서에서는 SiC 전력 장치, 특히 SiC 전력 접합 전계 효과 트랜지스터(JFET)의 개발을 검토합니다. 안정적인 전력 스위칭 애플리케이션을 위해 매우 바람직한 오류 방지 기능을 제공할 수 있는 상시 OFF 전력 JFET에 중점을 두고 SiC 전력 JFET 개발에 대한 이론적 근거와 다양한 접근 방식이 제시됩니다. SiC 전력 IC의 첫 번째 시연에 대한 새로운 결과가 제시되고 35MHz보다 높은 주파수에서 분산형 DC-DC 전력 변환기의 잠재력이 논의됩니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1031-1041
발행일
2008/07/01
공개일
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1031
원고의 종류
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
범주

작성자

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