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Development of High-Frequency GaN HFETs for Millimeter-Wave Applications 밀리미터파 애플리케이션을 위한 고주파 GaN HFET 개발

Masataka HIGASHIWAKI, Takashi MIMURA, Toshiaki MATSUI

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요약 :

본 논문에서는 밀리미터파 응용을 목표로 하는 AlGaN/GaN 이종 구조 전계 효과 트랜지스터(HFET)의 소자 제조 공정과 특성을 설명합니다. 우리는 단채널 효과를 억제하여 고주파 장치 특성을 향상시키는 세 가지 새로운 기술, 즉 높은 Al 조성 및 얇은 AlGaN 장벽 층, 촉매 화학 기상 증착에 의한 SiN 패시베이션, 100nm 미만의 Ti 기반 게이트를 개발했습니다. 디 알0.4Ga0.6게이트 길이가 30nm인 N/GaN HFET는 최대 드레인 전류 밀도가 1.6A/mm이고 최대 상호 컨덕턴스가 402mS/mm입니다. 이러한 기술을 사용하면 전류 이득 차단 주파수가 181GHz이고 최대 발진 주파수가 186GHz가 됩니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.984-988
발행일
2008/07/01
공개일
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.984
원고의 종류
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
범주

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