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Reliability of AlGaAs and InGaP Heterojunction Bipolar Transistors AlGaAs 및 InGaP 이종접합 양극성 트랜지스터의 신뢰성

Noren PAN, Roger E. WELSER, Charles R. LUTZ, James ELLIOT, Jesse P. RODRIGUES

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요약 :

이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)는 L 대역 전력 증폭기, 고속 A/D 변환기, 광대역 증폭기, 레이저 드라이버 및 저위상 잡음 발진기를 포함한 다양한 애플리케이션을 위한 핵심 장치입니다. AlGaAs 이미터 HBT는 L 대역 휴대폰 애플리케이션에 충분한 신뢰성을 입증했습니다. 높은 접합 온도(>250)에서 확장된 신뢰성 성능이 필요한 애플리케이션용) 및 큰 전류 밀도(>50 kA/cm2), InGaP 이미터 HBT가 선호되는 장치입니다. InGaP/GaAs HBT의 우수한 신뢰성은 다양한 실험실에서 확인되었습니다. 적당한 전류 밀도와 접합 온도에서, Jc = 25kA/cm2Tj = 264, 10,000개 장치 샘플에서 10시간 동안 장치 오류가 보고되지 않았습니다. 최대 접합 온도 360°C까지 신뢰성 테스트 수행 더 높은 전류 밀도에서 (Jc = 60kA/cm2)는 외삽된 MTTF가 5인 것으로 나타났습니다. 105 시간 Tj = 150. AlGaAs/GaAs HBT의 활성화 에너지는 0.57eV인 반면, InGaP/GaAs HBT의 활성화 에너지는 0.68eV로 두 장치 모두 유사한 실패 메커니즘을 나타냅니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.1886-1894
발행일
1999/11/25
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
범주
RF 전력 장치

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