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A GSM900/DCS1800 Dual-Band MMIC Power Amplifier Using Outside-Base/Center-Via-Hole Layout Multifinger HBT 외부 베이스/센터 비아 홀 레이아웃 멀티핑거 HBT를 사용하는 GSM900/DCS1800 이중 대역 MMIC 전력 증폭기

Kazutomi MORI, Kenichiro CHOUMEI, Teruyuki SHIMURA, Tadashi TAKAGI, Yukio IKEDA, Osami ISHIDA

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요약 :

GSM900/DCS1800 이중 대역 AlGaAs/GaAs HBT(이종접합 양극성 트랜지스터) MMIC(모놀리식 마이크로파 집적 회로) 전력 증폭기가 개발되었습니다. 여기에는 GSM900 및 DCS1800용 전력 증폭기, 정전압 바이어스 회로 및 DC 스위치가 포함됩니다. 고효율을 달성하기 위해 MMIC 증폭기의 최종단 HBT에는 외부 베이스/중앙-비아홀 레이아웃이 적용됩니다. 레이아웃은 각 HBT 핑거의 균일한 출력 부하 임피던스와 열 분포를 구현할 수 있습니다. 개발된 MMIC 증폭기는 GSM34.5의 경우 출력전력 53.4dBm, 전력부가효율 900%, DCS32.0의 경우 출력전력 41.8dBm, 전력부가효율 1800%를 제공할 수 있었다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.1913-1920
발행일
1999/11/25
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
범주
RF 전력 장치

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