검색 기능은 준비 중입니다.
검색 기능은 준비 중입니다.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Low Distortion Ku-Band Power Heterojunction FET Amplifier Utilizing an FET with Grounded Source and Drain 접지된 소스 및 드레인이 있는 FET를 활용하는 저왜곡 Ku-대역 전력 이종접합 FET 증폭기

Kohji MATSUNAGA, Yasuhiro OKAMOTO, Mikio KANAMORI

  • 조회수

    0

  • 이것을 인용

요약 :

본 논문에서는 내부 정합 Ku밴드 고출력 증폭기의 입력 회로에 선형화 회로를 적용하여 선형성이 향상된 증폭에 대해 설명한다. 선형화 회로는 직렬로 구성됩니다. L, C, R 소스와 드레인이 접지된 FET로 구성되며, 입력 신호 라인과 접지 사이에 연결됩니다. 이 선형화 회로는 10mm 게이트 폭 이중 도핑 이종 접합 FET를 사용하는 Ku-band 25.2W 출력 전력 증폭기에 적용되었습니다. 전력 증폭기는 8dB 출력 압축 지점에서 약 6dB 출력 전력 백오프 지점에서 2차 상호 변조가 XNUMXdB 감소한 것으로 나타났습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.5 pp.744-749
발행일
1999/05/25
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Issue on Low Distortion Technology for Microwave Devices and Circuits)
범주

작성자

키워드