검색 기능은 준비 중입니다.
검색 기능은 준비 중입니다.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A New CD Measurement Method Linked with the Electrical Properties of Devices 소자의 전기적 특성과 연계한 새로운 CD 측정 방식

Fumio KOMATSU, Motosuke MIYOSHI, Hiromu FUJIOKA

  • 조회수

    0

  • 이것을 인용

요약 :

본 논문에서는 실제 초대형 집적 장치(ULSI)에 대해 나노미터 수준의 정밀도와 전기적 특성과의 좋은 상관성을 갖는 CD-SEM의 새로운 측정 방법을 설명합니다. 형상 크기가 감소함에 따라 측정할 패턴이 곡선 모양으로 변하는 경향이 있습니다. 이러한 패턴을 5 nm 정도의 측정 정밀도 내에서 측정하려면 64차원 측정이 효과적입니다. 여기에서는 임계 치수가 측정 패턴의 영역 값에서 파생되는 새로운 측정 알고리즘을 보고합니다. 이 측정 방법을 3.6-Mbit DRAM의 실제 장치에 적용하여 게이트 선폭 측정의 경우 5.6 nm, 홀 직경 측정의 경우 XNUMX nm의 재현성을 확인했습니다. 또한, 게이트 선폭의 측정값은 문턱전압과 강한 상관관계를 가지며, 홀 직경의 측정값도 접촉저항과 강한 상관관계를 갖는 것을 확인하였다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.7 pp.1347-1352
발행일
1999/07/25
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
PAPER
범주
반도체 재료 및 장치

작성자

키워드