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Random Modulation: Multi-Threshold-Voltage Design Methodology in Sub-2-V Power Supply CMOS 무작위 변조: 2V 미만 전원 공급 장치 CMOS의 다중 임계값 전압 설계 방법론

Naoki KATO, Yohei AKITA, Mitsuru HIRAKI, Takeo YAMASHITA, Teruhisa SHIMIZU, Fuyuhiko MAKI, Kazuo YANO

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요약 :

무작위 변조는 셀별로 MOSFET 임계 전압이 변경되는 것을 의미합니다. 본 논문에서는 이 기술이 대기 모드는 물론 활성 모드와 절전 모드에서도 임계값 이하의 누설 전류를 줄이기 때문에 Sub-2V CMOS 설계에 필수적이라고 주장합니다. 우리는 낮은 V의 비율을 점진적으로 변화시키는 점진적 변조 방식을 발견했습니다.th 경로 지연에 따른 셀이 최선의 접근 방식입니다. 최소 누설 전류를 달성하기 위해 최적의 임계 전압 쌍을 결정하는 방법도 설명합니다. 마이크로프로세서에 대한 실험 결과에 따르면 점진적 변조는 회로 성능을 저하시키지 않으면서 기존의 단일 낮은 임계값 전압 설계에 비해 임계값 미만 누설 전류를 75% ~ 90% 감소시키는 것으로 나타났습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.11 pp.1747-1754
발행일
2000/11/25
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Issue on Low-power LSIs and Technologies)
범주

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