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Surface Passivation Process for GaN-Based Electronic Devices Utilizing ECR-CVD SiNx Film ECR-CVD SiN을 활용한 GaN 기반 전자소자의 표면 패시베이션 공정x Film

Tamotsu HASHIZUME, Ryuusuke NAKASAKI, Shin-ya OOTOMO, Susumu OYAMA, Hideki HASEGAWA

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요약 :

전자 사이클로트론 공명(ECR) 여기 플라즈마를 활용한 GaN의 표면 패시베이션 공정은 GaN 기반 고전력/고주파 전자 소자의 안정적인 동작 구현을 위해 특성화되고 최적화되었습니다. XPS 분석에서 NH는4OH 처리 및 ECR-N2 및 ECR-H2 플라즈마 처리는 GaN 표면에서 자연 산화물과 오염 물질을 제거하는 데 효과적인 것으로 나타났습니다. 죄악xECR 여기 플라즈마 화학 기상 증착(ECR-CVD) 공정으로 제조된 /GaN 구조가 더 나은 것으로 나타났습니다. 이력서 SiO와 비교한 동작2/GaN 구조. ECR 플라즈마를 이용한 표면처리 공정으로 계면특성을 향상시키고 Dit 2의 값1011 cm-2 eV-1 이하. XPS에 의한 원자가 밴드 오프셋의 추정치는 현재 SiNx/n-GaN 구조는 Type-I 밴드 라인업을 갖고 있어 GaN 기반 소자의 표면 패시베이션에 적합합니다. SiN에는 뚜렷한 스트레스가 남아 있지 않았습니다.x/GaN 인터페이스는 라만 분광법으로 확인되었습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1455-1461
발행일
2001/10/01
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
범주
새로운 전자 장치

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