검색 기능은 준비 중입니다.
검색 기능은 준비 중입니다.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Growth of Epitaxial SrTiO3 on Epitaxial (Ti,Al)N/Si(100) Substrate Using Ti-Buffer Layer 에피택셜 SrTiO 성장3 Ti-버퍼층을 사용한 에피택셜(Ti,Al)N/Si(100) 기판에

Kenya SANO, Ryoichi OHARA, Takashi KAWAKUBO

  • 조회수

    0

  • 이것을 인용

요약 :

에피택셜 SrTiO3에피택셜 (Ti,Al)N/Si(100) 상의 (STO) 필름은 Ti 버퍼층을 사용하여 성공적으로 얻어졌습니다. SrTiO3 필름은 (100) 방향으로 평행 에피택셜 관계(큐브-온-큐브)로 성장했습니다. 즉, (100)SrTiO3//(100)(Ti,Al)N//(100)Si, <110> SrTiO3//<110> (Ti,Al)N//<110> Si. Ti-버퍼층은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 (Ti,Al)N 상에 성장시켰으며, 버퍼층의 두께는 2~10 nm였다. STO 필름을 스퍼터링한 후 Ti 버퍼층이 다결정 아나타제-TiO로 변경되었습니다.2.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.808-813
발행일
2001/06/01
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
범주
FeRAM

작성자

키워드