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Si Single-Electron Transistors with High Voltage Gain 고전압 이득을 갖춘 Si 단일 전자 트랜지스터

Yukinori ONO, Kenji YAMAZAKI, Yasuo TAKAHASHI

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요약 :

상당히 높은 온도에서 높은 전압 이득을 갖는 Si 단일 전자 트랜지스터는 수직 패턴 의존 산화에 의해 제조되었습니다. 이 방법을 사용하면 1aF 미만의 커패시턴스를 갖는 매우 작은 터널 접합을 자동으로 형성할 수 있습니다. 또한 얇은(수십 나노미터 두께) 게이트 산화물을 사용하면 아일랜드와 게이트의 강한 결합이 가능해지며, 이로 인해 게이트 정전용량이 접합 정전용량보다 커집니다. 27K에서 게이트 커패시턴스와 드레인 터널 커패시턴스의 비율에 따라 결정되는 반전 전압 이득이 일정한 드레인 전류 조건에서 3을 초과한다는 것이 입증되었습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.8 pp.1061-1065
발행일
2001/08/01
공개일
온라인 ISSN
DOI
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Issue on Silicon Nanodevices)
범주

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