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AuGe-Alloy Source and Drain Formation by the Lift-Off Process for the Scaling of Bottom-Contact Type Pentacene-Based OFETs 하단 접촉형 펜타센 기반 OFET의 스케일링을 위한 리프트오프 프로세스에 의한 AuGe 합금 소스 및 드레인 형성

Shun-ichiro OHMI, Mizuha HIROKI, Yasutaka MAEDA

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요약 :

SiO에 형성된 AuGe 합금 소스 및 드레인(S/D)2하부 접촉 구조를 갖는 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET)의 스케일링을 위해 리소그래피 공정에 의한 /Si(100)를 조사했습니다. S/D는 OFPR의 레지스트를 활용한 리프트오프 공정으로 제작되었습니다. 최소 채널 길이가 2.4μm인 OFET는 리프트 오프 공정을 통해 성공적으로 제작되었습니다. Au S/D의 제조 수율은 57%인 반면, Au-93%Ge와 Au-100%Ge S/D의 경우 각각 1%와 7.4%로 증가했다. Au-7.4%Ge S/D를 갖는 OFET의 이동도는 1.1×10로 감소했지만-3 cm2/(Vs), 5.5×10으로 증가할 수 있게 되었습니다.-2 cm2/(Vs) H를 이용한 표면세정에 의한2SO4/H2O2 리프트 오프 공정 후 혼합 용액(SPM) 및 금속화 후 어닐링(PMA)은 Au S/D를 사용한 OFET보다 높았습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.2 pp.138-142
발행일
2019/02/01
공개일
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018OMP0008
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Section on Recent Progress in Organic Molecular Electronics and Biotechnology)
범주

작성자

Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology
Mizuha HIROKI
  Tokyo Institute of Technology
Yasutaka MAEDA
  Tokyo Institute of Technology

키워드