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High Efficiency Class-E and Compact Doherty Power Amplifiers with Novel Harmonics Termination for Handset Applications 핸드셋 애플리케이션을 위한 새로운 고조파 종단 기능을 갖춘 고효율 클래스 E 및 소형 도허티 전력 증폭기

Tsuyoshi SUGIURA, Satoshi FURUTA, Tadamasa MURAKAMI, Koki TANJI, Norihisa OTANI, Toshihiko YOSHIMASU

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요약 :

본 논문에서는 GaAs/InGaP 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 프로세스를 사용하는 핸드셋 애플리케이션을 위한 새로운 고조파 종단 기능을 갖춘 고효율 Class-E 및 소형 Doherty 전력 증폭기(PA)를 제시합니다. 새로운 고조파 종단 회로는 정합 회로의 삽입 손실을 효과적으로 줄여 장치의 소형화를 가능하게 합니다. Doherty PA는 IC 기판의 금속-절연체-금속(MIM) 커패시터, 본딩 와이어 인덕터 및 인쇄 회로 기판(PCB)의 짧은 마이크로 스트립 라인으로 구성된 집중 요소 변압기를 사용합니다. 제작된 Class-E PA는 69.0GHz에서 최대 1.95%, 67.6GHz에서 최대 2.535%의 PAE(Power Added Efficiency)를 나타냅니다. 제작된 Doherty PA는 25.5MHz 대역폭 QPSK(Quadrature Phase Shift Keying) 50.1dB PAPR(peak-to-average-power-ratio) LTE에서 평균 출력 전력 10dBm 및 PAE 6.16%를 나타냅니다. 1.95GHz의 신호. 제작된 칩 크기는 1mm보다 작습니다.2. 입력 및 출력 Doherty 변압기 영역은 각각 0.5mm x 1.0mm 및 0.7mm x 0.7mm입니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.10 pp.699-706
발행일
2019/10/01
공개일
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019MMP0007
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Section on Microwave and Millimeter-Wave Technologies)
범주

작성자

Tsuyoshi SUGIURA
  Samsung R&D Institute Japan
Satoshi FURUTA
  Samsung R&D Institute Japan
Tadamasa MURAKAMI
  Samsung R&D Institute Japan
Koki TANJI
  Samsung R&D Institute Japan
Norihisa OTANI
  Samsung R&D Institute Japan
Toshihiko YOSHIMASU
  Waseda University

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