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Simulation-Based Understanding of “Charge-Sharing Phenomenon” Induced by Heavy-Ion Incident on a 65nm Bulk CMOS Memory Circuit 65nm 벌크 CMOS 메모리 회로에서 중이온 사고로 인한 "전하 공유 현상"에 대한 시뮬레이션 기반 이해

Akifumi MARU, Akifumi MATSUDA, Satoshi KUBOYAMA, Mamoru YOSHIMOTO

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요약 :

고집적 CMOS 메모리 회로에서 단일 이벤트 발생을 예상하려면 메모리 셀 간의 전하 공유에 대한 정량적 평가가 필요합니다. 본 연구에서는 중이온 입사로 인한 전하 공유 영역을 소자 시뮬레이션 기반 방법을 이용하여 정량적으로 계산하였다. 이 방법의 타당성은 하전된 중이온 가속기를 사용하여 실험적으로 확인되었습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.1 pp.47-50
발행일
2022/01/01
공개일
2021/08/05
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021ECS6008
원고의 종류
BRIEF PAPER
범주
전자 회로

작성자

Akifumi MARU
  JAXA,Tokyo Institute of Technology
Akifumi MATSUDA
  Tokyo Institute of Technology
Satoshi KUBOYAMA
  JAXA
Mamoru YOSHIMOTO
  Tokyo Institute of Technology

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