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Sputtering Gas Pressure Dependence on the LaBxNy Insulator Formation for Pentacene-Based Back-Gate Type Floating-Gate Memory with an Amorphous Rubrene Passivation Layer LaB에 대한 스퍼터링 가스 압력 의존성xNy 비정질 루브렌 부동태화층을 갖는 펜타센 기반 백게이트형 플로팅 게이트 메모리용 절연체 형성

Eun-Ki HONG, Kyung Eun PARK, Shun-ichiro OHMI

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요약 :

본 연구에서는 Ar/N의 효과2- LaB의 플라즈마 스퍼터링 가스 압력xNy 비정질 루브렌(α-루브렌) 패시베이션 층을 갖춘 펜타센 기반 플로팅 게이트 메모리에 대해 터널 및 블록 층을 조사했습니다. α-루브렌 보호층이 메모리 특성에 미치는 영향을 조사했습니다. 펜타센 기반의 금속/절연체/금속/절연체/반도체(MIMIS) 다이오드와 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET)는 N 도핑된 LaB를 활용하여 제작되었습니다.6 금속층과 LaBxNy 어닐링 온도 200°C에서 α-루브렌 보호층을 갖춘 절연체°C. MIMIS 다이오드의 경우 누설전류밀도와 EOT(Equivalent Oxide Thickness)가 1.2×10에서 감소하였다.-2 A/센티미터2 1.1×10까지-7 A/센티미터2 스퍼터링 가스 압력을 3.5 Pa에서 3.1 Pa로 줄임으로써 각각 0.47 nm에서 0.19 nm로 증가했습니다. α-루브렌 패시베이션 층을 갖춘 플로팅 게이트형 OFET의 경우 포화 이동도를 통해 0.68 V의 더 큰 메모리 창을 얻었습니다. 2.2×10-2 cm2α-루브렌 패시베이션 층이 없는 장치와 비교하여 /(V·s) 및 199mV/dec의 임계값 이하 스윙.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.589-595
발행일
2022/10/01
공개일
2022/06/27
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021FUP0005
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
범주

작성자

Eun-Ki HONG
  Tokyo Institute of Technology
Kyung Eun PARK
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

키워드