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Open Access
Al-Zn-Sn-O Thin Film Transistors with Top and Bottom Gate Structure for AMOLED
오픈 액세스
AMOLED용 상단 및 하단 게이트 구조의 Al-Zn-Sn-O 박막 트랜지스터

Doo-Hee CHO, Sang-Hee Ko PARK, Shinhyuk YANG, Chunwon BYUN, Min Ki RYU, Jeong-Ik LEE, Chi-Sun HWANG, Sung Min YOON, Hye Yong CHU, Kyoung Ik CHO

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요약 :

우리는 Al-Zn-Sn-O(AZTO)라는 새로운 산화물 물질을 활성층으로 사용하여 투명한 하단 게이트 및 상단 게이트 TFT를 제작했습니다. AZTO 활성층은 실온에서 RF 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착되었습니다. 우리의 새로운 TFT는 사후 어닐링 없이도 좋은 TFT 성능을 보여주었습니다. 사후 어닐링을 통해 전계 효과 이동도와 임계값 이하 스윙이 향상되었으며 SnO를 사용하면 이동도가 증가했습니다.2 콘텐츠. AZTO TFT(약 4mol% AlOx, 66mol% ZnO 및 30mol% SnO)2)는 10.3cm의 이동성을 나타냈습니다.2/Vs, 켜기 전압 0.4V, 하위 임계값 스윙 0.6V/dec, 켜기/끄기 비율 109. 하단 게이트 AZTO TFT는 좋은 전기적 성능을 보였지만 바이어스 안정성은 상대적으로 나빴습니다. 탑 게이트 AZTO TFT에서는 바이어스 안정성이 크게 향상되었습니다. Top Gate AZTO TFT Array로 구성된 Back Plane을 이용하여 투명 AMOLED Panel 제작에 성공하였습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.11 pp.1340-1346
발행일
2009/11/01
공개일
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.1340
원고의 종류
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Electronic Displays)
범주

작성자

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