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Open Access
Oxide Thin Film Transistor Circuits for Transparent RFID Applications
오픈 액세스
투명한 RFID 애플리케이션을 위한 산화물 박막 트랜지스터 회로

Seung Hyun CHO, Sang Woo KIM, Woo Seok CHEONG, Chun Won BYUN, Chi-Sun HWANG, Kyoung Ik CHO, Byung Seong BAE

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  • Free PDF (851.5KB)

요약 :

산화물 소재는 투명 전극을 이용해 투명 소자를 만들 수 있다. 우리는 산화물 TFT를 사용하여 투명 발진기와 정류기 회로를 개발했습니다. 소스/드레인 및 게이트 전극은 ITO(Indium Thin Oxide)로 만들었고, 활성층은 유리기판 위에 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 투명물질로 만들었다. RC 발진기는 부트스트랩 인버터로 구성되었으며 V에서 813kHz 발진 주파수가 달성되었습니다.DD = 15 V. RF로부터 DC 전압 생성을 위해 투명 정류기를 제작하고 평가했습니다. RF를 생성하기 위해 성공적으로 작동하는 발진기에 전원을 공급하는 정류기의 DC 전압입니다. 데이터 전송을 위해 RF 전송은 투명 발진기의 RF로 평가되었습니다. 안테나가 발진기에 연결되었고 수신 안테나로의 RF 전송이 검증되었습니다. 이 송신 안테나를 통해 RF가 수신 안테나로 성공적으로 전송되었습니다. RFID의 투명시스템을 위해 투명안테나를 개발하여 데이터 송수신을 검증하였습니다.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.10 pp.1504-1510
발행일
2010/10/01
공개일
온라인 ISSN
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1504
원고의 종류
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Frontier of Thin-Film Transistor Technology)
범주

작성자

키워드