검색 기능은 준비 중입니다.
검색 기능은 준비 중입니다.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

An Analysis of Local BTI Variation with Ring-Oscillator in Advanced Processes and Its Impact on Logic Circuit and SRAM 고급 공정에서 링 오실레이터를 사용한 국지적 BTI 변동 분석과 논리 회로 및 SRAM에 미치는 영향

Mitsuhiko IGARASHI, Yuuki UCHIDA, Yoshio TAKAZAWA, Makoto YABUUCHI, Yasumasa TSUKAMOTO, Koji SHIBUTANI, Kazutoshi KOBAYASHI

  • 조회수

    0

  • 이것을 인용

요약 :

본 논문에서는 다양한 공정에서 RO(Ring-Oscillator)를 측정하고 이것이 논리 회로와 SRAM에 미치는 영향을 측정하여 BTI(바이어스 온도 불안정성)의 국지적 변동성을 분석합니다. 7nm FinFET(Fin Field Effect Transistor) 공정, 16/14nm 세대 FinFET 공정, 28nm Planer 공정으로 제작된 TEG(Test Elementary Group)의 RO 측정을 바탕으로 평가한 결과, Negative BTI(NBTI)의 표준편차는 다음과 같습니다. Vth 저하(σ(△V))는 평균값의 제곱근에 비례합니다(μ(△V)) 스트레스를 받을 때마다 Vth 풍미와 다양한 회복 조건. 로컬 BTI 변동량은 게이트 길이, 너비 및 핀 수에 따라 달라지지만 7nm FinFET 프로세스의 로컬 BTI 변동량은 다른 프로세스보다 약간 더 큽니다. 이러한 측정 결과를 바탕으로 측정된 내용을 고려하여 논리 회로에 미치는 영향에 대한 분석 결과를 제시합니다. Vth 7nm FinFET 공정에서 글로벌 NBTI에 대한 의존도. 또한 SRAM 최소 작동 전압에 미치는 영향을 분석합니다(V)의 민감도 분석을 기반으로 한 SNM(Static Noise Margin)은 무시할 수 없는 수준을 나타냅니다. V 로컬 NBTI로 인한 성능 저하.

발행
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E104-A No.11 pp.1536-1545
발행일
2021/11/01
공개일
2021/05/25
온라인 ISSN
1745-1337
DOI
10.1587/transfun.2020KEP0017
원고의 종류
Special Section PAPER (Special Section on Circuits and Systems)
범주

작성자

Mitsuhiko IGARASHI
  Renesas Electronics Corporation,Kyoto Institute of Technology
Yuuki UCHIDA
  Renesas Electronics Corporation
Yoshio TAKAZAWA
  Renesas Electronics Corporation
Makoto YABUUCHI
  Renesas Electronics Corporation
Yasumasa TSUKAMOTO
  Renesas Electronics Corporation
Koji SHIBUTANI
  Renesas Electronics Corporation
Kazutoshi KOBAYASHI
  Kyoto Institute of Technology

키워드